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• 掩膜板及其制造方法 公开日期：2024-09-27 公开号：CN115747712A 申请号：CN202211027369.2
  发明 掩膜板及其制造方法

  • 申请号：CN202211027369.2
  • 公开号：CN115747712A
  • 公开日期：2024-09-27
  • 申请人：京东方科技集团股份有限公司

  本申请公开了一种掩膜板及其制造方法，属于蒸镀技术领域。一种掩膜板包括，包括：硅基框架和金属子掩膜板。由于采用金属材料制成的金属子掩膜板的厚度较小，因此，该掩膜板内的像素开孔的深宽比较小。在采用这种掩膜板进行蒸镀的过程中，蒸镀材料不易附着在像素开孔的内壁上，使得掩膜板中的像素开孔不易被堵塞，有效的提高了采用这种掩膜板在待蒸镀的基板上形成的图案化的膜层的质量，进而可以提高后续制备出的显示面板的显示效果。

  发布时间：2023-06-07 22:00:41

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• 一种真空蒸镀机的坩埚系统 公开日期：2024-09-27 公开号：CN113981382A 申请号：CN202111514735.2
  发明 一种真空蒸镀机的坩埚系统

  • 申请号：CN202111514735.2
  • 公开号：CN113981382A
  • 公开日期：2024-09-27
  • 申请人：苏州佑伦真空设备科技有限公司

  本申请提供一种真空蒸镀机的坩埚系统，所述坩埚系统包括电子枪结构和坩埚结构，电子枪结构设置在坩埚结构的前方，电子枪结构发出电子束轰击加热坩埚结构的坩埚内的膜料；所述电子枪结构包括支座、灯丝、高压头、一体式线圈和磁极，所述支座具有一个从上向下的凹陷部，灯丝和高压头设置在凹陷部内，高压头设置在灯丝的下方，高压头对灯丝进行高压放电，一体式线圈设置在灯丝的前方，磁极设置在支座的两侧和后方，一体式线圈由一个水平横向设置的X线圈和两个水平纵向设置的Y线圈组成，X线圈设置在前方，两个Y线圈分别与X线圈的两端连接并且位于X线圈的后方，所述一体式线圈和磁极用于使得打入坩埚内的光斑为点形或圆形。

  发布时间：2023-04-24 09:40:09

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• 一种无机和金属合金复合雷达吸波涂层的制备方法 公开日期：2024-09-27 公开号：CN117467922A 申请号：CN202311432937.1
  发明 一种无机和金属合金复合雷达吸波涂层的制备方法

  • 申请号：CN202311432937.1
  • 公开号：CN117467922A
  • 公开日期：2024-09-27
  • 申请人：北京金轮坤天特种机械有限公司

  本发明提供了一种无机和金属合金复合雷达吸波涂层的制备方法，涉及表面处理技术领域。吸波涂层的制备方法包括：(1)无机和金属合金复合材料的选用及再加工；(2)在基体上采用超音速火焰喷涂制备粘结层；在粘结层上，采用大气等离子喷涂制备面层吸波涂层，形成具有优异结合强度的复合涂层。本复合结构的吸波涂层可以通过调节粘合剂与吸收剂的配比以及吸波涂层的厚度，在一定范围内实现对2GHz～18GHz频段内电磁波不同程度的吸收性能。

  发布时间：2024-02-04 07:19:07

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• 一种原子层沉积实验机 公开日期：2024-09-27 公开号：CN116676588A 申请号：CN202310669305.0
  发明 一种原子层沉积实验机

  • 申请号：CN202310669305.0
  • 公开号：CN116676588A
  • 公开日期：2024-09-27
  • 申请人：江苏迈纳德微纳技术有限公司

  本发明涉及一种原子层沉积实验机的结构改进，特别涉及一种新型原子层沉积实验机，可以通过各结构的优化，从而最大程度保证工艺稳定性；包括外腔体、等离子发生器、进气管、排气管和内腔体；所述等离子发生器安装在外腔体顶部并与内腔体连通，所述进气管通过匀气装置与内腔体连通，所述内腔体通过排气管与外部连通，其特征在于，还包括上部接头和锥形进气管，所述上部接头穿过外腔体的顶部并与等离子发生器连通，所述锥形进气管位于内腔体中并与上部接头可拆式连接，还包括快速连接件，所述快速连接件将锥形进气管和匀气装置与内腔体可拆式连接，所述匀气装置可以为多个且保持相互堆叠，所述进气管通过快拆接头与匀气装置可拆式连接。

  发布时间：2023-09-04 07:11:11

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• 一种水平方向调整垂直辊道高度的装置 公开日期：2024-09-27 公开号：CN113881936A 申请号：CN202111295559.8
  发明 一种水平方向调整垂直辊道高度的装置

  • 申请号：CN202111295559.8
  • 公开号：CN113881936A
  • 公开日期：2024-09-27
  • 申请人：连城凯克斯科技有限公司

  本发明属于硅片镀膜用工艺炉技术领域，具体的说是一种水平方向调整垂直辊道高度的装置，包括腔体底部安装面；所述腔体底部安装面顶部设有滑道；所述腔体底部安装面顶部靠近端部的位置处安装有支座；所述支座内部安装有滑杆；所述滑杆与滑道上的限位槽滑动连接；所述腔体底部安装面顶部固接有支撑杆；所述支撑杆插入到滑道内部；所述支撑杆与滑道间隙配合；所述支撑杆顶部为斜面设置；所述滑道端部安装有螺钉把合面板；通过顶杆和支撑杆的挤压配合来对滑道和夹紧机构进行提升高度，可减少滑道在高度调节时出现的卡死问题。

  发布时间：2023-04-22 08:53:54

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• 两点夹持的机器人锌锅捞渣装置 公开日期：2024-09-27 公开号：CN112458390A 申请号：CN202011443890.5
  发明 两点夹持的机器人锌锅捞渣装置

  • 申请号：CN202011443890.5
  • 公开号：CN112458390A
  • 公开日期：2024-09-27
  • 申请人：中冶南方工程技术有限公司

  本发明公开了一种两点夹持的机器人锌锅捞渣装置，包括夹具组件，工具架组件，以及至少一个捞渣工具组件；所述夹具组件用于在所述机器人的驱动下活动地夹持其中一个所述捞渣工具组件；所述工具架组件用于活动地放置所述捞渣工具组件；所述捞渣工具组件用于捞取锌锅内锌液表面的锌渣。该两点夹持的机器人锌锅捞渣装置能够在机器人的驱动下进行捞渣操作，有效减轻现场工人的劳动负荷，而且还能方便更换及维修。

  发布时间：2023-06-02 12:22:16

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• 一种新型蒸镀机 公开日期：2024-09-27 公开号：CN112725737A 申请号：CN202011618418.0
  发明 一种新型蒸镀机

  • 申请号：CN202011618418.0
  • 公开号：CN112725737A
  • 公开日期：2024-09-27
  • 申请人：苏州佑伦真空设备科技有限公司

  为了解决如何提高真空镀膜的问题，本发明提出一种新型蒸镀机，包括蒸镀机本体、加热灯结构、镀锅、控制机构、水冷隔热机构、坩埚、离子源和驱动机构，将镀锅安装至蒸镀机本体内部，抽真空泵组进行抽真空处理，控制机构启动驱动机构，加热灯结构除去蒸镀机本体内部水分、离子源对基板表面进行离子轰击使表面粗糙，清洁并辅助镀膜，坩埚启动对基板进行镀膜，水冷隔热机构降低真空主腔体内部热源对低温泵的热辐射，既可以保障冷却效果的同时增加了蒸镀机内部气流通量，从而提高了真空泵抽真空的速度，该镀膜机结构简答，操作方便且镀膜效果好。

  发布时间：2023-06-05 18:24:43

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• 一种紫外激光诱导高分子薄膜局部图案化和金属化的方法 公开日期：2024-09-27 公开号：CN114774892A 申请号：CN202210218733.7
  发明 一种紫外激光诱导高分子薄膜局部图案化和金属化的方法

  • 申请号：CN202210218733.7
  • 公开号：CN114774892A
  • 公开日期：2024-09-27
  • 申请人：华中科技大学|||武汉数字化设计与制造创新中心有限公司

  本发明公开了一种紫外激光诱导高分子薄膜局部图案化和金属化的方法。方法包括如下步骤：S1：将高分子薄膜材料浸泡在含有一定浓度金属盐和光引发剂的有机溶剂中并达到溶胀平衡；S2：绘制需要加工的图案，设置激光加工工艺参数，采用紫外激光加工系统对步骤S1处理后的高分子薄膜材料进行激光诱导图案化和金属化加工；S3：加工完成后，用乙醇和水清洗步骤S2得到的样品，然后晾干。本发明的方法，加工精度和效率高，不需要掩模版等辅助手段，也不需要高温、真空等特殊环境，工艺简单，成本低，具有普适性，可精确控制激光能量，实现高分子薄膜局部图案化和金属化的高质高效加工。

  发布时间：2023-05-16 11:00:00

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• 二硼化锆致密涂层的制备方法 公开日期：2024-09-27 公开号：CN117026154A 申请号：CN202310890599.X
  发明 二硼化锆致密涂层的制备方法

  • 申请号：CN202310890599.X
  • 公开号：CN117026154A
  • 公开日期：2024-09-27
  • 申请人：北京金轮坤天特种机械有限公司

  本发明提供了一种二硼化锆致密涂层的制备方法，涉及涂层制备技术领域，以解决ZrB2涂层的致密度低以及涂层制备过程中硼烧蚀的问题。二硼化锆致密涂层的制备方法采用PS‑PVD工艺以液相沉积为主制备ZrB2涂层。本发明提供的二硼化锆致密涂层的制备方法可以提高ZrB2涂层的致密度及减少涂层制备过程中硼烧蚀。

  发布时间：2023-11-16 07:17:11

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• CVD流化沉积装置及硅碳负极材料的制备方法 公开日期：2024-09-27 公开号：CN113957417A 申请号：CN202111070124.3
  发明 CVD流化沉积装置及硅碳负极材料的制备方法

  • 申请号：CN202111070124.3
  • 公开号：CN113957417A
  • 公开日期：2024-09-27
  • 申请人：长沙矿冶研究院有限责任公司

  本发明公开了一种CVD流化沉积装置及硅碳负极材料的制备方法，该CVD流化沉积装置包括具有反应腔的流化床，反应腔内安装有用于加热反应腔的加热装置和用于收集流化沉积材料的收集料斗，流化床连接有用于向反应腔中输送碳基材料的碳基材料输送机构、用于向反应腔中输送硅源气体及还原气体的气相材料输送机构、用于向反应腔中输入载气的载气输送机构和用于回收余料的负压回收组件，反应腔内设有将反应腔分隔为流化腔和出料腔的导流板，碳基材料输送机构、气相材料输送机构和负压回收组件均与流化腔连通，载气输送机构与所述出料腔连通。该CVD流化沉积装置具有能够实现较好包覆、工作可靠、自动化程度高、生产效率高的优点。

  发布时间：2023-04-23 09:25:06

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